中文 ENG
  • NEXTECK訪問韓國斗山集團和京畿道科技園

    由香港貿發局發起港深聯合科技考察團,今天對韓國斗山集團和京畿道科技園進行訪問,此次港深聯合科技考察團訪問受到韓國熱情招待和高度重視,港深聯合科技考察團訪與韓國企業開展一系列交流活動,在現場韓國企業向港深聯合科技考察團展示多項科研成果和公司最新發展技術。

    2019-07-12 17:41:02

  • 合金材料熱處理對磁化強度的影響

    在目前的合金材料體系中,Ga是一種非磁性元素。在Cu50Mn25Al25-xGax合金體系中,當Cu和Mn的濃度不變時,Al的濃度變化不大。據報道,Mn-Mn耦合對Cu50Mn25Al25合金的磁性能起著重要作。如前所述,Ga的取代會增加晶格中的Mn-Mn距離。這是由于晶格常數的增加(見表1)。因此,合金材料可以觀察到磁化強度的降低是由于晶格常數的增加,減少了Cu50Mn25Al25-xGax合金

    2021-06-02 11:06:47

  • 合金材料在熱處理過程中的相變行為分析

    合金材料在熱處理過程中的相變行為分析合金在903K下退火30小時,XRD譜圖顯示存在Cu2MnAl、β-Mn和γ-Cu9Al4相。退火過程中Cu2MnAl相的分解反應導致了這兩種相的出現?;谇叭藢u-Mn-Al合金分解過程的研究表明,在800 ~ 900 K退火溫度下,Cu2MnAl相是亞穩態的,可以分解為β-Mn和γ-Cu9Al4相。Cu2MnAl→β-Mn + γ-Cu9Al4。然而,x

    2021-06-02 11:02:18

  • 鎳鐵合金材料微觀結構和結構特點

    鎳鐵合金材料Pt器件從LRS切換到HRS。當在1.8 ~ 2.2 V電壓范圍內增加電壓發生軟擊穿時,器件由HRS切換為LRS。鎳鐵合金材料具有反尖晶石結構,其Fe-O鍵比Ni-O鍵更強,導致氧空位形成。顯示了改變Fe3+和Ni2+離子的價態時的磁還原效應。氧空位和陽離子的還原可能導致磁化強度的降低和電導率的增加。由于氧空位的湮沒(熱效應驅動)和陽離子價的變化(復位過程中的氧化還原效應)導致了絲的斷

    2021-06-02 11:01:00

  • 金屬合金降低納米孔有哪些特征和尺寸

    納米多孔金屬合金(npm)是納米結構材料的典型類型,具有有趣的特性,在催化、傳感器、致動器、燃料電池、微流體控制器等領域具有廣闊的應用前景。npm因其獨特的孔隙結構、大比表面積和高電導率而具有多種優越的物理化學性能,引起了人們對其電催化性能的廣泛研究,并極大地拓展了其在催化劑、電化學傳感、電催化等領域的應用潛力。能量系統。脫合金是一種具有三維雙連續互穿通道結構的納米級npm材料,近年來受到越來越多

    2021-06-02 10:59:55

  • 鎳鐵合金材料磁化強度的降低導致弛豫過程的增加

    采用MOD方法制備了鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4納米鐵氧體薄膜。為鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4薄膜的XRD譜圖。少量的α-Fe2O3相也作為雜質相形成。根據鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4的XRD數據)計算了其晶格常數。這些晶格常數計算值更接近體塊分別為鎳鐵合金材料、CoFe2O4和MnFe2O4薄膜的AFM圖像。其微觀結構均勻,納米晶粒尺寸分布均勻。薄

    2021-06-01 15:00:39

  • 納米復合金材料具有競爭力飽和磁化強度值

    納米復合金材料中Ce摻雜CoFe2O4納米粒子的鐵磁有序性,采用化學燃燒法制備了核殼納米粒子。XRD衍射結果表明,該結構具有立方空間群尖晶石結構。從TEM圖像可以看出,CFCeO05和CFCeO10樣品的平均粒徑分別為D = 8和10 nm。顯示了CFCeO05和CFCeO10在Ms = 42.54和10.41 emug?1,Mr = 26.68和1.57,emug?1 Hc = 1526和140

    2021-06-01 14:59:29

  • 金屬合金材料這種類型的磁響應

    金屬合金材料最近由于其反尖晶石結構,納米陽離子占用得到了修飾。MCe的凈矩理論表達式為其中MA和MB是Fe3+陽離子的ww固定在5μB僅自旋,八面體配位Co2+陽離子固定在3.8,這對應于bulk CFO在0 K時的Msat。反磁Ce4+離子的凈磁矩μCe為零,順磁Ce3+離子的凈磁矩為非零。用Ce3+取代Fe3+后,金屬合金材料隨著電子在4f層的順序填充,Ms將以μCe的形式變化。不太可能,根據

    2021-06-01 14:54:03

  • 銅合金材料和納米鐵氧體的發展進展

    銅合金材料顯示了MgFe2O4薄膜的濕度響應在25℃,10-90% RH范圍內測量。400℃退火的薄膜的基電阻從59 GΩ增加到30 TΩ, 800℃退火。影響鐵氧體電阻的因素有氣孔率、空位率和Fe2+與Fe3+之間的電子跳躍等。在目前的研究中,這可能是由于較高的退火溫度增加了平均孔徑分布,銅合金材料從而進一步對載流子的運動造成了更多的阻礙。從可以看出,退火溫度越高,隨著濕度10 ~ 90% 相對

    2021-06-01 14:50:52

  • 非晶合金的化學成分和微觀結構有什么特點

    非晶合金的微觀組織等結晶合金的鑄造組織、金屬間化合物和相偏析特征被最終的多孔組織繼承。初始金屬間相的種類、化學成分和微觀結構通常導致多模態納米多孔結構的形成。而非晶合金則表現出許多優點,尤其是合金成分分布均勻,化學成分不偏析,顯微組織不均勻。非晶態前驅體中晶界的缺失、大尺度的相偏析和金屬間化合物的存在是npm高均勻性的主要原因。非晶合金具有無序的原子尺度結構,不存在弱位即晶體材料典型的晶粒/相邊界

    2021-05-31 11:43:40

  • 銅基合金納米結構飽和磁化強度略有下降

    最近對Cu基合金納米結構的結構、微觀結構和磁性的研究。合金的生長和不同的表征,第二部分討論了納米鐵氧體的磁性能。合成了Cu50Mn25Al25合金。x≤8的合金形成Cu2MnAl結構的單相。Ga含量的進一步增加導致γ-Cu9Al4型相和Cu2MnAl 相的形成。隨著Ga濃度的增加,合金的飽和磁化強度(Ms)略有下降。條帶的退火顯著改變了Cu50Mn25Al25-xGax合金的磁性能。觀察了合金在零

    2021-05-31 11:42:13

  • 合金材料表現出磁性形狀記憶合金效應

    合金材料中的磁晶耦合產生了磁形狀記憶效應和其他性能。這些使得合金具有非常有趣的磁性。合金可以研究一系列有趣的不同的磁性現象,如巡回和局部磁性、反鐵磁性、日磁性、泡利順磁性或重費米子行為。幾種合金,如Ni2MnGa、Co2NbSn等,在低溫下經歷從高度對稱立方奧氏體到低對稱馬氏體的馬氏體轉變。與原子序-序相變不同,馬氏體相變是由晶體中原子的非擴散協同運動引起的。當合金處于馬氏體相時,表現出磁性形狀記

    2021-05-31 11:40:55

  • 鎳鐵合金材料用于增加注入半導體的自旋極化電流

    鎳鐵合金材料采用尖晶石鐵素體一般公式是占據四面體(A)和八面體[B]位的二價和三價陽離子。為NiFe2O4的反尖晶石結構。反尖晶石有一般公式。對于普通尖晶石AB2O4, A2+占據了1/8的fcc四面體位, B3+占據了32個八面體位中的16個。鎳鐵合金材料采用反尖晶石結構,Ni2+的八面體位和Fe3+均勻分布在O2?fcc電池的八面體位和四面體位之間。完整的結構結晶成一個立方體系oh7,空間群為

    2021-05-31 11:39:30

  • 鋁基復合材料晶格就畸變得越嚴重強化效果就越大

    鋁基復合材料外來原子固溶于基體中后,一方面能阻礙錯位運動,另方面由于外來原子與基體金屬原子直徑不同,會使晶格畸變,產生應變場,且會與位錯發生交互作用。溶質原子作為位錯運動的阻礙,提升塑性抗力,這是兩方面的原因造成的:一是溶質原子引起晶格畸變,增加位錯密度,鋁基復合材料溶質原子造成的晶格畸變程度和溶解度因溶質原子與溶劑原子的差異及溶解的不同而不同,溶質原子溶的越多,晶格就畸變得越嚴重,強化效果就越大

    2021-05-28 11:00:04

  • 鎳合金材料熱處理對試樣耐腐蝕性能的影響

    鎳合金材料采用ULTIMA 2順序原子發射光譜法,采用電感耦合等離子體(ICP)原子發射光譜法(AES)直接同時測定溶液中的鈦和鎳。浸沒后,還對表面形貌和逐層成分進行了研究。測量離子釋放到溶液中的結果所示。鎳合金材料在酸性和中性介質中腐蝕不明顯,鎳的濃度低于所引用的平均量級;然而,鈦含量顯示在溶液中。在堿性環境和人工等離子體中沒有所有樣品的檢測結果,鎳合金材料在酸度為3.56-6.31的溶液中也沒

    2021-05-28 11:00:11

  • 鈦合金材料絲拋光可使納米結構合金

    鈦合金材料亮斑和暗斑的組成不同亮斑中顯示出高含量的氧化鈦,暗斑中顯示出高含量的碳。兩層鈦合金材料厚度均達到3 μm,且不相互疊加。人們認為,如此鈦合金材料厚的表面層是線材生產過程中長時間的中間熱處理的結果。因此,最可能的情況是,退火15分鐘對改變成分的特性沒有影響。碳存在于鋼絲表面,可能是由于含石墨的潤滑劑在拉絲過程中使用,鈦合金材料停留在鋼絲表面,然后在退火過程中粘住。在鈦合金材料觀察到同樣的效

    2021-05-28 16:00:21

上一頁1234567...114下一頁 轉至第

logo.png

提供最實時且最高質量的服務

立承德科技(上海)生產基地
地址:上海市寶山區蕰川路5300弄1號
電話: +86-21-3638-0189
傳真: +86-21-3638-0109
郵箱:nexteck@nexteck.com.cn

立承德科技(深圳)有限公司
地址:廣東省深圳市福田區彩田路 3069 號星河世紀A棟1001室
電話:+86-755-8256-1631
傳真: +86-755-8256-1691
郵箱:nexteck@nexteck.com

国产AV精选刘思瑶播放|免费无码VA一区二区三区|久久婷婷人人澡人人爽人人爱|99er视频精品免费观看|亚洲欧洲自拍图片专区123